Muchina wekucheka waya weSilicon carbide dhaimani 4/6/8/12 inch SiC ingot processing

Tsananguro pfupi:

Muchina wekucheka waya weSilicon carbide Diamond Wire imhando yemuchina wekugadzirisa wakanyatsogadzirwa wakatsaurirwa kuchikamu chengot chesilicon carbide (SiC), uchishandisa tekinoroji yeDiamond Wire Saw, kuburikidza newaya yedhaimani inofamba nekukurumidza (dhayamita yemutsara 0.1 ~ 0.3mm) kuenda kuSiC ingot multi-waya yekucheka, kuti uwane kugadzirira wafer kwakanyatsogadzirwa, kusingakuvadzi zvakanyanya. Muchina uyu unoshandiswa zvakanyanya muSiC power semiconductor (MOSFET/SBD), radio frequency device (GaN-on-SiC) uye optoelectronic device substrate processing, ndiwo muchina unokosha muSiC industry chain.

Tumira email kwatiri

Zvinhu zvirimo

Kushanda musimboti:

1. Kugadzika kweIngot: SiC ingot (4H/6H-SiC) inonamirwa pachikuva chekucheka kuburikidza nechishandiso kuti ive nechokwadi chekuti nzvimbo yacho yakarurama (± 0.02mm).

2. Kufamba kwemutsetse wedhaimani: mutsetse wedhaimani (zvidimbu zvedhaimani zvakaputirwa nemagetsi pamusoro) unofambiswa nehurongwa hwevhiri rinotungamira kuti rifambe nekukurumidza (kumhanya kwemutsetse 10 ~ 30m/s).

3. Kucheka chikafu: ingot inopihwa nenzira yakatarwa, uye mutsetse wedhaimani unochekwa panguva imwe chete nemitsetse yakawanda yakafanana (mitsetse 100 ~ 500) kuti igadzire mawafer akawanda.

4. Kutonhodza uye kubvisa machipisi: Pfapfaidza chinotonhodza (mvura yakabviswa maion + zvinowedzerwa) munzvimbo yekucheka kuderedza kukuvara kwekupisa uye kubvisa machipisi.

Zvikamu zvikuru:

1. Kumhanya kwekucheka: 0.2 ~ 1.0mm/min (zvichienderana nekwakatangira kristaro uye ukobvu hweSiC).

2. Kubata kwemutsara: 20~50N (yakanyanya kukwira nyore kutyora mutsetse, yakaderera zvakanyanya inokanganisa kunyatso cheka).

3. Ukobvu hwewafer: standard 350~500μm, wafer inogona kusvika 100μm.

Zvinhu zvikuru:

(1) Kururama kwekucheka
Kukwanisa kushivirira ukobvu: ±5μm (@350μm wafer), zviri nani pane kucheka dhaka rekare (±20μm).

Kuomarara kwepamusoro: Ra<0.5μm (hapana kugayiwa kwekuwedzera kunodiwa kuderedza huwandu hwekugadzirisa kunotevera).

Warpage: <10μm (kuderedza kuoma kwekukwesha kunotevera).

(2) Kushanda zvakanaka pakugadzirisa
Kucheka mitsetse yakawanda: kucheka zvidimbu zana kusvika mazana mashanu panguva imwe chete, zvichiwedzera kugona kwekugadzira ka3 kusvika kashanu (zvichienzaniswa nekuchekwa kwemitsetse imwe chete).

Hupenyu hwemutsara: Mutsetse wedhaimani unogona kucheka 100 ~ 300km SiC (zvichienderana nekuomarara kwengot uye kugadziriswa kwemaitiro).

(3) Kugadzirisa kukuvara kushoma
Kutyoka kwemucheto: <15μm (kucheka kwechinyakare >50μm), wedzera goho rewafer.

Rutivi rwekukuvadzwa pasi pevhu: <5μm (deredza kubviswa kwekukwesha).

(4) Kudzivirirwa kwezvakatipoteredza uye hupfumi
Hapana kusvibiswa kwedhaka: Mari yekurasa marara yakaderera kana tichienzanisa nekucheka dhaka.

Kushandiswa kwezvinhu: Kucheka kurasikirwa <100μm/ mucheki, zvichichengetedza zvinhu zveSiC.

Kucheka mhedzisiro:

1. Hunhu hwewafer: hapana maburi macroscopic pamusoro, zvikanganiso zvishoma zve microscopic (kuwedzerwa kwe dislocation kunodzoreka). Inogona kupinda zvakananga mu rough polishing link, kupfupisa kufamba kwemaitiro.

2. Kuenderana: kutsauka kweukobvu hwewafer mubatch kuri <±3%, kwakakodzera kugadzirwa otomatiki.

3.Kushanda: Tsigira kucheka kwe 4H/6H-SiC ingot, inoenderana ne conductive/semi-insulated type.

Tsanangudzo yehunyanzvi:

Tsanangudzo	Zvidimbu
Zviyero (L × W × H)	2500x2300x2500 kana kugadzirisa
Kugadzira saizi yezvinhu	4, 6, 8, 10, 12 inches yesilicon carbide
Kuoma kwepamusoro	Ra≤0.3u
Avhareji yekumhanya kwekucheka	0.3mm/miniti
Huremu	5.5t
Matanho ekugadzirisa maitiro ekucheka	≤matanho makumi matatu
Ruzha rwemidziyo	≤80 dB
Kusimba kwesimbi yesimbi	0~110N(0.25 waya ine simba re 45N)
Kumhanya kwewaya yesimbi	0~30m/S
Simba rose	50kw
Dhayamita yewaya yedhaimani	≥0.18mm
Kupera kwepasi	≤0.05mm
Kucheka nekupwanya mwero	≤1% (kunze kwezvikonzero zvevanhu, zvinhu zvesilicon, mutsetse, kugadzirisa nezvimwe zvikonzero)

Masevhisi eXKH:

XKH inopa basa rese remuchina wekucheka waya wesilicon carbide diamond, kusanganisira kusarudza michina (kubatanidza waya nedhayamita/kumhanya kwewaya), kugadzira maitiro (kugadzirisa maparameter ekucheka), kupa zvinodyiwa (waya yedhayamondi, vhiri rekutungamira) uye rutsigiro rwekutengeswa mushure mekutengesa (kugadzirisa michina, kuongorora mhando yekucheka), kubatsira vatengi kuwana goho rakakura (>95%), kugadzirwa kweSiC wafer inodhura zvishoma. Inopawo kuvandudzwa kwakagadzirirwa iwe (senge kucheka kwakatetepa zvakanyanya, kurodha otomatiki uye kuburitsa zvinhu) nekutungamira kwemavhiki mana kusvika masere.