6inch SiC Epitaxiy wafer N/P rudzi rweN/P runogamuchirwa rwakagadzirirwa
Maitiro ekugadzira silicon carbide epitaxial wafer inzira inoshandisa tekinoroji yeChemical Vapor Deposition (CVD). Inotevera ndiyo misimboti yehunyanzvi yakakodzera uye matanho ekugadzirira:
Nheyo yehunyanzvi:
Kubviswa kweUtsi hweKemikari: Kana ukashandisa gasi rezvinhu zvisina kugadzirwa muchikamu chegasi, pasi pemamiriro chaiwo ekuita, rinoora roiswa pachigadziko kuti rigadzire firimu rakatetepa rinodiwa.
Gas-phase reaction: Kuburikidza ne pyrolysis kana cracking reaction, magasi akasiyana-siyana ari mu gas phase anochinjwa nemakemikari mu reaction chamber.
Matanho ekugadzirira:
Kugadziriswa kwesubstrate: Substrate inocheneswa pamusoro uye kugadziriswa kare kuti ive nechokwadi chekuti epitaxial wafer yakanaka uye ine kristallinity.
Kugadzirisa mamiriro emukamuri wekuita zvinhu: gadzirisa tembiricha, kumanikidzwa uye mwero wekuyerera kwekamuri rekuita zvinhu nezvimwe zvinhu kuti uve nechokwadi chekugadzikana uye kutonga kwemamiriro ekuita zvinhu.
Kuwanikwa kwezvinhu zvisina kugadzirwa: kupa zvinhu zvisina kugadzirwa zvegasi zvinodiwa mukamuri rekuita, kusanganisa nekudzora mwero wekuyerera kwemhepo sezvinodiwa.
Maitiro ekuita: Nekudziisa imba yekuita, gasi rinopinda muchikamu chemakemikari kuti ribudise dhayi rinodiwa, kureva firimu resilicon carbide.
Kutonhodza nekuburitsa zvinhu: Pakupera kwekuita, tembiricha inodzikiswa zvishoma nezvishoma kuti itonhodze uye isimbise zvakachengetwa mukamuri rekuita.
Kunyungudutsa uye kugadzira epitaxial wafer: epitaxial wafer yakachengetwa inonyungudutswa uye inogadziriswazve kuti ivandudze hunhu hwayo hwemagetsi nemaziso.
Matanho chaiwo nemamiriro ezvinhu ekugadzirira wafer yesilicon carbide epitaxial anogona kusiyana zvichienderana nemidziyo chaiyo nezvinodiwa. Zviri pamusoro apa ingori nzira yekushanda uye musimboti, mashandiro chaiwo anofanira kugadziriswa uye kugadziriswa zvichienderana nemamiriro chaiwo.
Dhayagiramu Yakadzama
