Kugadzira mamwe maatomu esilicon pane substrate yesilicon wafer kune zvakanakira zvakawanda:
Mumaitiro eCMOS silicon, kukura kwe epitaxial (EPI) pawafer substrate inhanho yakakosha.
1, Kuvandudza hunhu hwekristaro
Zvikanganiso zvepakutanga zve substrate: Munguva yekugadzira, substrate yewafer inogona kunge iine zvimwe zvikanganiso uye tsvina. Kukura kwe epitaxial layer kunogona kugadzira monocrystalline silicon layer yemhando yepamusoro ine huwandu hushoma hwezvikanganiso uye tsvina pa substrate, izvo zvakakosha pakugadzirwa kwemidziyo inotevera.
Maumbirwo ekristaro akafanana: Kukura kweEpitaxial kunoita kuti maumbirwo ekristaro aenzane, zvichideredza kukanganiswa kwemiganhu yezviyo nezvikanganiso muzvinhu zvepasi, nokudaro zvichivandudza kunaka kwekristaro yese yewafer.
2, kuvandudza mashandiro emagetsi.
Kugadzirisa hunhu hwemudziyo: Nekukudza epitaxial layer pa substrate, huwandu hwedoping uye rudzi rwesilicon zvinogona kudzorwa nemazvo, zvichivandudza mashandiro emagetsi emudziyo. Semuenzaniso, doping ye epitaxial layer inogona kugadziriswa zvakanaka kuti idzore voltage yeMOSFETs nedzimwe paramita dzemagetsi.
Kuderedza kubuda kwemvura: Chigadziko che epitaxial chemhando yepamusoro chine defect density yakaderera, izvo zvinobatsira kuderedza kubuda kwemvura mumidziyo, nokudaro zvichivandudza mashandiro emudziyo uye kuvimbika kwawo.
3, kuvandudza mashandiro emagetsi.
Kuderedza Hukuru hweZvinhu: Muma "process nodes" madiki (akadai se7nm, 5nm), hukuru hwezvishandiso hunoramba huchiderera, zvichida zvinhu zvakanatswa uye zvemhando yepamusoro. Tekinoroji yekukura kweEpitaxial inogona kuzadzisa zvinodiwa izvi, ichitsigira kugadzirwa kwema "high-performance" uye "high-density" akabatanidzwa.
Kuvandudza Voltage Yakapwanyika: Epitaxial layers inogona kugadzirwa ine voltage yakakwira yekupwanyika, izvo zvakakosha pakugadzira michina ine simba guru uye ine voltage yakakwira. Semuenzaniso, mumidziyo ine simba, epitaxial layers inogona kuvandudza voltage yekupwanyika kwemudziyo, zvichiwedzera nzvimbo yekushanda yakachengeteka.
4, Kuenderana Kwemaitiro uye Magadzirirwo Emasafuremu Akawanda
Magadzirirwo eMultilayer: Tekinoroji yekukura kweEpitaxial inobvumira kukura kwezvimiro zvemu multilayer pa substrates, nezvikamu zvakasiyana zvine huwandu hwakasiyana hwedoping uye mhando dzakasiyana. Izvi zvinobatsira zvikuru pakugadzira zvishandiso zvakaoma zveCMOS uye kugonesa kubatanidzwa kwezvikamu zvitatu.
Kuenderana: Maitiro ekukura kwe epitaxial anoenderana zvakanyanya nemaitiro aripo ekugadzira eCMOS, zvichiita kuti zvive nyore kubatanidzwa mumabasa ekugadzira aripo pasina chikonzero chekuchinja kukuru kumitsetse yemaitiro.
Pfupiso: Kushandiswa kwekukura kwe epitaxial muCMOS silicon processes kunonyanya kutarisisa kusimudzira mhando yekristaro yewafer, kugadzirisa mashandiro emagetsi emudziyo, kutsigira ma process nodes epamusoro, uye kusangana nezvinodiwa zvekugadzirwa kwema circuit akabatanidzwa ane mashandiro epamusoro uye akanyanya. Tekinoroji yekukura kweEpitaxial inobvumira kudzora kwakanyatsojeka kwekushandisa doping uye chimiro, kuvandudza mashandiro ese uye kuvimbika kwemidziyo.
Nguva yekutumira: Gumiguru-16-2024